电镀技术

真空电镀设备分子束外延原理介绍

发布时间:2013年08月08日

真空电镀设备分子束外延原理介绍

  分子束外延(MBE)(Molecular beam epitaxy )是利用分子在超高真空(10-10Torr以下)的环境下,以直线行进不与其他分子碰撞的情况下前进到基板之上,形成致密的高纯度镀层。
  分子束外延(MBE)(Molecular beam epitaxy )的分子源需要根据不同的材料特性以及制程需求来进行选择。


系统优点

真空镀膜机分子束外延(MBE)(Molecular beam epitaxy )的成长过程,如果控制精确度,可以达到单原子层成长,因此可以轻易地控制,成出超晶格结构。
其成膜温度低能而有效减少缺陷,成长出高质量薄膜。
但缺点是膜厚成长缓慢,镀膜均匀度较难掌握,需要很干净的超高真空环境保证镀膜质量

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